浙商证券:2023年存储芯片行业专题报告

1、海外厂商占据绝对份额,国内存储安全重要性凸显

存力的底层支撑:半导体存储器芯片(主流为DRAM+NANDFlash)。存力的体现形式:数据中心+存储服务器。

海外巨头垄断,国内存储安全重要性日益凸显。全球DRAM市场几乎由三星、SK海力士和美光所垄断,CR3超过95%,全球NAND flash市场由前三大厂商分别为三星、铠侠和海力士,目前CR3市场份额达65%,CR6市场份额接近95%。

2、国内数据圈庞大,AI驱动“从算力到存力”的长期需求

得益于人工智能、物联网、云计算等新兴技术的快速发展,中国数据正在迎来爆发式增长,驱动存储设备在数据中心采购占比进一步提升。据IDC预测,预计到2025年,中国数据圈将增长至48.6ZB,占全球数据圈的27.8%,成为全球最大的数据圈。

AI技术革命推动高算力服务器等基础设施需求提升,AI服务器所需的DRAM/NAND分别是常规服务器的8/3倍。

3、存储周期拐点已至,库存改善、价格压力缓解

美光23Q1存货环比小幅回落,集邦咨询预测23Q2DRAM价格跌幅收窄至10%-15%(23Q1为20%),库存情况改善、价格压力缓解,存储行业周期迎来拐点。

4、先进存力的前进方向:存算一体、HBM/DRAM、3DNAND

存算一体:将存储单元和计算单元合为一体,省去了计算的数据搬运环节,消除由于数据搬运带来的功耗,提升计算能效。

HBM/DRAM:作为存储器主流之一的DRAM技术不断升级,衍生出HBM(高带宽内存),其是一款新型的CPU/GPU内存芯片,将多个DDR芯片堆叠后与GPU封装在一起,实现大容量,高位宽的DDR组合阵列,突破内存容量与带宽瓶颈。

3DNAND(立体堆叠技术):可以摆脱对先进制程工艺的束缚,不依赖于EUV技术,而闪存的容量/性能/可靠性也有了保障。

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