IC Insights 对半导体行业最新的资本支出预测显示 ，今年NAND闪存资本支出将增长8%，达到299亿美元，超过2018年278亿美元的历史新高。闪存资本支出在2017年飙升，当时该行业开始向3D NAND转型，此后每年都超过200亿美元。2022年，闪存的资本支出预计将增至299亿美元，因为大型供应商和小型供应商将保持适度激进的支出水平。
299亿美元的支出占2022年整个IC行业资本支出预测（1904亿美元）的16%，仅落后于晶圆代工部门（41%）。
新的和最近升级的NAND闪存工厂包括三星的 Pyeongtaek Lines1和2；三星在中国西安的二期投资；铠侠在日本岩手的Fab6(Flash Ventures) 和 Fab K1；和美光在新加坡的第三家闪存工厂。此外，SK 海力士也投资了NAND闪存。
在预测期内，随着NAND闪存供应商准备从2022年底到2023年进入200层以上设备的竞争，他们需要新的晶圆厂和新设备。三星和美光可能是第一个开始量产的公司。两家公司以及 SK 海力士目前都在量产176层 NAND。三星位于中国西安的晶圆厂是领先的NAND制造基地，拥有两个晶圆厂，每个晶圆厂全面投产后每月可生产120,000片晶圆。随着对企业存储应用的日益关注，SK 海力士预计将在2023年迁移到196层。
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