semiwiki:截至2022年Q1 ASML已出货136个EUV系统

据semiwiki日前的报道,截至 2022 年第一季度,ASML 已出货 136 个 EUV 系统,约曝光7000 万个晶圆已曝光(如下图)。台积电在早前的技术大会上则表示,在全球已经安装的EUV光刻机系统中,台积电拥有了其中的 55%。三星的实际控制人李在镕日前则拜访了荷兰总统,以寻找更多的EUV供应。

这再次说明,生产先进芯片必不可少的EUV成为了全球关注的目标。在日前的一些报道中,我们也看到了EUV光刻机的一些路线图更新。

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0.33NA EUV的新进展

报道中表示, 0.33 NA的 EUV 系统是当今前沿光刻的主力生产系统。先进的逻辑和 DRAM都在使用0.33 NA 的系统大批量生产。下图说明了逻辑和 DRAM(条)的EUV层数和每年使用EUV曝光的晶圆(面积)。

据ASML公司的Mike Lercel介绍 ,以典型的5nm工艺为例,2021 年的逻辑值是 10 层以上 EUV 层,到2023 年的3nm将会有20层的EUV层,而DRAM 目前的EUV层使用量约为 5 层。

Mike Lercel还谈到了未来 DRAM 曝光的展望,他指出,不就之后DRAM上有大约会有 8 个关键层,最终其中一些层可能需要多重图案化,使每个晶圆的 EUV 曝光达到 10 层。

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从报道中可以看到,新型号的EUV光刻机系统 NXE:3600D将能达到93%的可用性,这将让其进一步接近DUV光刻机(95%的可用性)。

数据显示,NXE:3600D 系统每小时可生产 160 个晶圆 (wph),速度为 30mJ/cm?,这比 NXE:3400C 高 18%。二正在开发的 NXE:3800E系统最初将以 30mJ/cm?的速度提供大过195wph的产能,并在吞吐量升级后达到220wph。

据介绍,NXE:3600E 将在像差、重叠和吞吐量方面进行渐进式光学改进。

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从semiwi的报道中我们可以看到,在0.33 NA的EUV光刻机领域,ASML 路线图包括到 2025 年左右推出吞吐量约为220wph 的 NXE:4000F。按照EUV 执行副总裁Christophe Fouquet在参加高盛虚拟峰会的时候的说法,公司之所以把新设备称它为 F,因为ASML也希望通过该设备能显著提高生产力,这主要归功于公司希望在该系统的功率上能够更进一步。

至于产能的增加幅度,Christophe Fouquet表示,这可能会达到10%到20%,但他们依然还没有最终确定。不过ASML目前计划在 2025 年左右交付第一个NXE:4000F系统。

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semiwiki在文章中表示,对于 0.33 NA 系统,ASML 正致力于通过增加吞吐量和降低总能量来减少每次曝光所需的功耗,而双重图案甚至也将成为0.33NA光刻机需要发力的一个方面。

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如在之前的报道中指出,在发力0.33 NA光刻机的时候,ASML也在加快0.55 NA光刻机的进度。而继英特尔表示将在2025年使用上High-NA光刻机之后,台积电在日前也将High-NA光刻机的应用时间放在2024年。这无疑是大大提升了先进EUV光刻机的应用时间。

因为从相关资料可以看到, 0.33 NA的常规 EUV 光刻机从原型机出货(2010 年)到量产机出货(2019 年)用了大约10 年时间。如果相关报道属实,那就意味着 0.55 NA 的high NA EUV 光刻机从原型机出货(2023年)到量产机出货(2026 年)只需要短短的三年。

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