中国无视美国制裁，实现5纳米芯片突破

中国芯片在历经两年挫折后取得了重大突破。多方消息显示，中芯国际现已具备生产 5 纳米半导体的能力。

报道称，中芯国际现已展示了生产 5 纳米半导体的能力。还有越来越多的证据表明，中芯国际不仅已经达到了5纳米大关，甚至可能通过为华为开发先进芯片而超越它。如果得到证实，这一成就将使中国与英特尔处于同一水平，这对中芯国际来说是一个重要的里程碑。

“华为海思的后升腾 910B AI 芯片预计将提供更高的性能，部分原因在于其新的工艺节点——下一代 AI 处理器据称采用中芯国际的 N+2 工艺技术（一些人认为是 5 纳米级节点）。这标志着华为第二次采用违反制裁的中芯国际 5 纳米节点——该公司最近上市了一款采用 5 纳米制造技术的先进芯片的笔记本电脑，而此前由于美国制裁，这一壮举被认为是不可能的。 ”TomsHardware 援引 TrendForce 报道称。

这并不是中国第一次震惊世界。早在9月份，华为就因使用第二代7纳米工艺技术批量生产海思麒麟9000S处理器而成为头条新闻——这一壮举最初被认为是不可能的。然而，有关他们据称转向 5nm 的最新消息更加引人注目。

11月，华为推出Mate 60 Pro手机，搭载中芯国际7nm芯片的5G芯片，再次成为人们关注的焦点。这一事态发展表明，中国在全国范围内努力规避美国限制其崛起的努力，并取得了迅速进展。这一声明证明了美国在限制对手国家方面所采取的技术和经济保护主义做法所带来的挑战。

与此同时，最近的报告还补充说，中芯国际的 5 纳米芯片生产完全使用 DUV 机器实现，这是任何其他公司或国家都无法比拟的壮举。这种非常规的方法与其他地方普遍采用的更先进的 EUV 方法形成鲜明对比，这似乎是对美国对中国实施制裁的战略回应。

为了支持这一说法，该报告援引了华为最近推出的一款新笔记本电脑，该笔记本电脑据称采用 5 纳米工艺制造的处理器。这表明中芯国际等中国代工厂可能拥有生产先进芯片的能力，挑战美国制裁所形成的预期。

然而，实现5纳米突破对于中芯国际来说确实是付出了代价的。一些行业专家表示，使用 DUV 设备对公司来说可能会更加昂贵。台积电前高管指出，虽然华为和中芯国际生产 5 纳米片上系统 (SoC) 是可行的，但考虑到当前使用的机器，可能会增加成本。

“由于美国禁止荷兰ASML等公司向中国供应下一代EUV设备以遏制竞争，中芯国际别无选择，只能使用DUV设备进行5纳米工艺。据报道，台积电前高管表示，华为和中芯国际都有可能生产5纳米SoC，但在现有机器上，耗时长、良率低、成本高。 ” Wccf 写道。

在持续的地缘政治紧张局势和技术竞争中，5纳米技术的突破对于中芯国际和华为来说都是一个重大的进步。随着对先进芯片的需求不断增加，这一成就使中国科技巨头在全球市场上占据有利地位，减少了对美国供应商的依赖。

如果得到证实，这一潜在突破可能会对目前由台积电和三星等公司主导的全球半导体行业产生深远影响。 5 纳米技术比其前身技术具有显着的性能和效率改进，使其成为尖端电子产品的关键要素。