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宾夕法尼亚大学:下丘脑神经元影响压力引发睡眠记忆障碍

NEXTECH
Last updated: 2025年6月28日 下午1:46
By NEXTECH
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4 Min Read
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美国宾夕法尼亚大学的研究人员发现,下丘脑中的一组神经元可能是压力引发睡眠和记忆障碍的关键。这项发表在《神经科学杂志》(The Journal of Neuroscience)上的研究指出,下丘脑的室旁核神经元通过特定机制介导压力对睡眠和记忆的影响,为治疗压力相关睡眠障碍提供了新方向。

此前研究已知,室旁核神经元通过释放促肾上腺皮质激素调节压力,并与睡眠和记忆相关脑区存在联系,但其具体作用机制尚不明确。为探索这一问题,研究人员对小鼠施加压力(例如通过将其限制在塑料管内),随后测试其记忆并监测睡眠时的脑活动。结果发现,受到压力的小鼠不仅睡眠质量下降,记忆能力也显著减弱。进一步实验显示,激活室旁核神经元会重现这些负面效应,而抑制这些神经元则能改善睡眠,并更显著地提升记忆表现。

这一发现表明,压力可能通过不同途径分别影响睡眠和记忆。神经科学家指出,这意味着“睡眠障碍与压力通路可能相对独立”。另外一些研究人员则认为,这一发现是理解压力如何影响行为的重要进展。

研究人员指出,睡眠和记忆问题是多种精神障碍(如创伤后应激障碍和重度抑郁症)的早期症状,往往在明确诊断之前就已出现。针对室旁核神经元的治疗有望延缓这些疾病的发展进程。

这项研究不仅揭示了压力与睡眠、记忆的关联,也为未来治疗相关疾病提供了潜在靶点。

自 网易科技

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