据日经报道,中国正发起一场雄心勃勃的芯片产能扩张计划,目标在1-2年内将先进芯片产量从不足2万片晶圆提升至10万片,并计划到2030年新增50万片产能。中芯国际、华虹半导体和华为系芯片制造商是主要推动者,但美国出口管制和技术障碍仍是挑战。
据周三发布的日经报道援引知情人士消息,中国领先的芯片制造商正发起一场雄心勃勃的攻势,大幅扩大先进半导体产能,目标是在一到两年内将相对尖端芯片的产量从目前不足2万片晶圆提升至10万片。
这项努力还包括到2030年新增50万片先进芯片产能的更宏大目标,代表着北京在美国出口限制收紧的背景下,为缩小与西方半导体技术差距而采取的最激进举措。

中芯国际作为中国最大的晶圆代工厂,与华虹半导体以及多家与华为相关的芯片制造商一道,正处于这场产能扩张的核心位置。据日经报道,这些公司正在扩建现有设施或准备开始生产7纳米甚至5纳米性能级别的芯片。
中芯国际已经在大力投资提升产能。在2月10日最近的一次财报电话会议上,联席首席执行官赵海军表示,公司计划到2026年底增加约4万片12英寸等效晶圆的月产能,此前2025年已增加约5万片。中芯国际2025年的资本支出达到81亿美元,据财新报道,公司打算在2026年保持类似水平,以满足激增的人工智能相关需求。其2025年全年营收增长16%,达到93.3亿美元。
由于美国制裁无法从台积电获得芯片的华为,也在加速生产其昇腾AI处理器。根据英国《金融时报》2025年8月的报道,华为计划在当年年底前启动一家专用AI芯片工厂的生产,另外两家工厂将于2026年投产。彭博社报道称,华为计划在2026年将其910C昇腾芯片的产量大约翻倍至约60万片。
尽管扩张规模庞大,中国仍面临持续的技术障碍。美国的出口管制已阻止中国获得阿斯麦的极紫外光刻机,迫使中芯国际依赖效率较低的多重图形技术来生产7纳米芯片。与台积电等行业领导者相比,这导致了更高的成本和更低的产量,而台积电已经在量产3纳米及以下制程的芯片。
中国还在2025年底强制要求芯片制造商在新增产能中至少使用50%的国产设备,这反映了北京推动实现完全供应链独立的决心。2026年2月,美国立法者加大施压力度,敦促特朗普政府进一步限制中国获得先进芯片制造工具的渠道。
根据Knometa Research的数据,随着此次扩张,中国预计将在2026年成为全球最大的集成电路晶圆产能来源——尽管其绝大部分产出仍集中在远落后于前沿的成熟制程节点上。正如美联储一份分析报告所指出的,中国企业“展现出了显著的创新能力”,但在最先进制程节点上缩小差距仍然是一项艰巨的挑战。
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