长江存储新建工厂，产能将翻倍以上

据路透社周二援引知情人士消息报道，中国最大NAND闪存生产商长江存储科技有限公司计划在武汉现有一座即将竣工的新厂之外，再新建两座半导体工厂。此次扩张完成后，公司产能将翻倍以上。路透社报道

三位消息人士告诉路透社，三座新工厂全面投产后，每座月产能均可达10万片晶圆。长江存储目前运营两座晶圆厂，合计月产能约为20万片。

武汉扩张计划初具雏形

第三座工厂位于武汉，紧邻长江存储现有设施，目前已完成建设，设备安装工作正在推进中。已安装设备中，超过一半来自中国本土供应商，其中包括垂直芯片堆叠所需的关键设备——这正是中国推进半导体自主可控的有力体现。

该工厂预计将于今年晚些时候投产，并在2027年实现月产能5万片晶圆的目标。一旦三座新工厂全部达产，长江存储的总产能将提升至约每月50万片晶圆，届时这家非上市公司有望超越SK海力士和美光，成为仅次于三星和铠侠的全球第三大NAND闪存制造商。

长江存储的布局也在向NAND闪存以外延伸。据路透社报道，两座最新规划的工厂都将拨出部分产能用于DRAM生产——这种存储芯片主要用于电子设备的临时数据处理。目前，该公司已向客户送出低功耗DRAM样品，预计年底前收到反馈。路透社报道

不断升级的美国限制措施构成背景

此次扩张发生于美国出口管制持续收紧的背景之下。长江存储于2022年12月被列入美国出口管制实体清单，其获取美国元器件和技术的渠道因此受到限制。今年4月初，美国两党议员联合提出《MATCH法案》，拟禁止向长江存储及其他中国领先半导体企业出售关键芯片制造设备，同时向荷兰、日本等盟友施压，要求其与美国的出口限制措施保持一致。

今年1月，特朗普政府依据《贸易扩展法》第232条款，对出口中国的先进人工智能芯片征收25%的关税，并将许可证审批方式从全面拒绝转变为逐案审查。对外关系委员会的分析人士将这一框架称为“战略上自相矛盾”。

中国存储芯片扩张野心提速

在扩张布局上，长鑫存储并非孤军奋战。据日经亚洲报道，中国头部DRAM制造商长鑫存储正在上海新建工厂，规划产能预计达到现有合肥厂区的两到三倍。瑞银估计，中国存储芯片整体产能今年的扩张规模将达到每月新增12万至14万片晶圆。

此外，长鑫存储计划于2026年下半年启动公开上市，募集资金将用于设备采购与研发投入——据科技财经亚洲报道。咨询机构Yole Group亚洲区负责人Gary Huang在接受日经亚洲采访时表示：“全球存储芯片供应短缺为新兴厂商创造了有利环境，使其能够在更健康的财务状况下支撑扩张。”