ASML EUV光源技术突破，2030年芯片产量或提升50%

ASML的研究人员表示，他们找到了一种方法，可将极紫外光刻机内部光源的功率从目前的600瓦提升至1000瓦。这一突破性进展可使芯片制造商在本世纪末之前使用单台设备的芯片产量提高多达50%。据路透社周一首次报道，这项技术进步将使设备到2030年每小时可处理约330片硅晶圆，而目前约为220片。

"这不是什么小把戏或类似的东西，我们只是短时间演示一下它能工作，" ASML EUV光源首席技术专家Michael Purvis在该公司位于加州圣迭戈附近的设施接受采访时表示。"这是一个能够在客户现场所有相同要求下产生1000瓦功率的系统。"

工作原理

ASML是全球唯一的商用EUV光刻机制造商，这种设备对先进芯片制造至关重要，以至于美国两党政府都与荷兰领导人合作，阻止其出口到中国。该公司的机器通过将熔融锡液滴流推进腔室来工作，强大的二氧化碳激光器将其转化为比太阳表面更热的等离子体，发出波长为13.5纳米的EUV光。

其关键技术突破在于将锡液滴速率提高一倍至每秒约10万个，并使用两个较小的激光脉冲来形成等离子体，而不是现有机器使用的单脉冲。科罗拉多州立大学教授Jorge J. Rocca表示："这非常具有挑战性，因为你需要掌握很多东西、很多技术。"他的实验室专注于激光技术，并培训了几位ASML科学家。"所实现的成果——1千瓦——是相当惊人的。"

保持领先于竞争对手

这个时机具有战略意义。在美国，至少有两家初创公司——Substrate和xLight——已经筹集了数亿美元来开发ASML技术的替代方案，其中xLight在唐纳德·特朗普总统执政期间获得了联邦资金支持。被禁止购买EUV光刻机的中国已经启动了自己的国家级项目来制造竞争系统，不过专家表示中国仍落后10到15年。

ASML公司负责NXE系列EUV光刻机的执行副总裁托恩·范高赫向路透社表示，功率提升旨在为台积电和英特尔等客户降低成本。"我们希望确保客户能够以更低的成本继续使用EUV技术，"他说。

珀维斯表示，用于达到1000瓦的技术预示着未来还有进一步提升的空间。"我们看到了通往1500瓦相当清晰的路径，而且没有根本性的原因表明我们无法达到2000瓦，"他说。