长鑫科技自主研发的LPDDR6实现商用量产并首发搭载于主流旗舰,同时全球DRAM市占率攀升至10%。伴随AI算力浪潮与全产业链自主化推进,中国芯片产业正从技术追赶步入主导生态的全新阶段。
2026年8月,长鑫科技正式宣布自主研发的新一代低功耗内存LPDDR6实现量产,并全球首发搭载于小米18 Fold折叠旗舰手机。这不仅是全球LPDDR6产品的首次商业落地,更标志着本土存储企业首次在高端内存标准上打破三星、SK海力士等海外厂商的产品先发垄断。

在资本市场上,长鑫科技此前登陆科创板,首日市值突破3.28万亿元。最新半年报显示,公司营收约1503亿元,同比增长873.64%,归母净利润达776亿元。

当国产DRAM首次与国际巨头同步首发新一代标准,中国半导体产业已正式越过关键临界点。
长鑫科技的技术突破来自持续的研发节奏:从2023年LPDDR5、2024年DDR5、2025年LPDDR5X,到2026年LPDDR6量产,保持了几乎每年一代的技术迭代。
招股书显示,2023年至2025年期间,长鑫累计研发投入达206.05亿元,占营收比例21.67%;截至2025年底,公司累计拥有境内外专利6972件,研发人员占比超过30%。

目前,SK海力士与三星均计划在2026年下半年实现LPDDR6量产,美光则预计2027年商用。长鑫不仅跟上了国际龙头的量产节奏,也实现了国产DRAM在代际首发上的齐头并进。
Counterpoint Research数据显示,2026年第二季度,长鑫科技在全球DRAM市场的营收份额从去年同期的4%攀升至10%,位列全球第四,仅次于三星(38%)、SK海力士(25%)与美光(24%)。

这一跃升背后是全球供需结构的重塑。AI数据中心对HBM的爆发式需求,促使海外巨头将大量产能调拨至高毛利产品,压缩了通用DRAM供给。长鑫把握住行业产能转换期,迅速实现了代际卡位。
高盛报告显示,截至2026年6月,中国集成电路自给率已从2010年的38%提升至70%。高盛预计长鑫存储凭借良率提升与扩产,到2028年将满足国内50%的DRAM需求。

半导体产业历来由先发者掌控代际切换窗口,进而确立性能标杆与定价锚点。长鑫打入LPDDR6第一梯队,实质上削弱了海外巨头在该世代上的定价排他性。
与此同时,长鑫正深度融入上下游生态。终端市场上,其DRAM产品已覆盖小米、传音、荣耀、OPPO、vivo等主流手机品牌。小米此前发布的玄戒O3移动芯片,便成为首款原生支持LPDDR6的处理器,配合长鑫芯片实现了软硬件协同落地。在企业级领域,长鑫亦与阿里云、字节跳动、联想等建立了深度合作。

产能方面,长鑫目前在合肥运营两座12英寸晶圆厂,在北京运营一座,单厂月产能约10万片。随着扩产推进,其2026年底月产能预计达35万片,远期目标规划至60万片/月,产能规模直逼海外第一阵营。
存储芯片的突围只是半导体板块的缩影。在GPU与AI算力领域,摩尔线程、沐曦、壁仞、燧原等企业相继走向资本市场,华为昇腾系列亦推出千卡级超节点集群,国产算力正全面迈入集群部署时代。市场机构预测,英伟达在国内AI芯片市场的份额将受到进一步分流。
内需规模与制造底座提供了核心支撑。中国目前消耗了全球约40%的半导体需求,国内智能算力规模在2026年已突破240万PFLOPS。同时,本土集成电路单月产量达到530亿块,全产业链在材料、设备、制造与封测环节的协同效应正在加速变现。
从单点替代走向全链条闭环,以长鑫为代表的中国半导体产业链正在形成良性运转的技术与商业飞轮。
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