光刻机全线缺货：ASML排单至2028年，日企激进扩产

受人工智能算力扩张与先进存储制程迭代拉动，全球半导体制造正掀起新一轮光刻设备争夺战。

近期，光刻机龙头 ASML 与日本半导体设备商佳能、尼康接连公布最新动向。从前道纳米级晶圆制造到后道先进封装，光刻设备全产业链正经历罕见的协同扩产与技术卡位。

ASML 订单排至2028年，启动全面提价

ASML 在第三季度财报中透露，客户对2027至2028年的设备需求已经超出公司现有的扩产规划，部分晶圆厂甚至已开始接洽2029与2030年的供货意向。

面对高涨的需求，ASML 计划明年将低数值孔径（Low-NA）EUV 和浸没式 DUV 的产能各自提升30%，并正评估后年继续维持30%以上增幅的可行性。为了按期交付，ASML 正在优化现有厂房利用率并压缩设备装配测试周期，而其位于埃因霍温的新园区首期工程预计要到2029年才能投用。

产能紧张直接传导至终端售价。ASML 已经与主要晶圆厂完成了新一轮定价谈判，关键高端机型及升级服务将实施提价。价格调整的效果预计在2027年开始显现，并在2028年全面体现。

在出货构成上，先进制程 DRAM 成为拉动光刻机需求的关键引擎。美光引入 EUV 的 1γ 工艺已量产，下一代 1δ 工艺计划于2027年下半年放量。ASML 预计今年面向存储客户的设备销售额将大幅增长约75%，远超逻辑芯片业务10%的增幅。

日企避开正面交锋，押注先进封装与新路径

面对 ASML 在前道先进制程的垄断地位，日本设备厂商正通过激进扩产和切入先进封装寻求突破。

佳能宣布，借助去年建成的宇都宫新工厂，2026年半导体光刻设备的产量最高将达到今年的两倍。除传统用于存储与功率器件的 i 线光刻机需求旺盛外，用于先进后道封装的光刻设备询价自今年年中起急剧增加。为此，佳能规划到2029年将后道光刻设备产能较2026年提升50%，并重点开发适应更大尺寸基板的机型。

此外，佳能仍在推进纳米压印（NIL）技术的产业化。目前首批导入客户正处于量产优化的最后冲刺阶段，技术团队正集中攻克圆形晶圆边缘接触不稳定、模板颗粒污染及多层套刻对齐等工程难题，探索绕过复杂光学投影曝光的替代路径。

尼康则将重心转向先进封装用数字光刻设备。10月中旬，尼康发布了无掩模数字光刻设备 DSP-110，预计2027年4月发售。该设备将半导体曝光与平板显示的多镜头技术结合，专门面向大型中介层与高密度多层封装基板，无需实体光掩模即可支持大尺寸方形基板和 300 mm 晶圆加工。随后，尼康还宣布启动精度更高的 0.5 μm 数字光刻系统研发，目标是将层间对准误差降至 ±0.15 μm 以内，紧密贴合 Chiplet 架构下日益密集的布线需求。

上游核心元器件与材料全面扩产

设备巨头的扩产浪潮迅速传导至上游供应链。

作为 ASML 高功率驱动激光器的核心供应商，德国通快（TRUMPF）最新财年 EUV 业务收入达到 7.91 亿欧元，同比增长 9.2%。通快预计，2026/27 财年 EUV 相关订单与收入都将实现两位数增长。其最新推出的 MK5 激光器重点强化了模块化设计与故障诊断系统，旨在降低产线意外停机时间，确保晶圆厂设备全负荷运转。

光刻胶龙头 JSR 位于韩国梧仓的新工厂也于9月底正式竣工，专门用于金属氧化物光刻胶（MOR）的最终生产工序。JSR 计划到2030年度将电子材料业务收入扩大至2025年度的1.7倍，通过实现核心材料就近供应，满足先进制程晶圆厂对微细图形转移的严苛良率要求。

面向更远期的制程演进，ASML 与蔡司已联合提出数值孔径至少为 0.75 的 Hyper NA 系统理论构想，正为高数值孔径 EUV 之后的下一代光刻技术进行先期研发储备。