余承东：国内正在研发 EUV，韬定律芯片 2031 年目标达 1.4nm 当量

华为常务董事、终端BG董事长余承东，在2026年9月29日的国际媒体圆桌会议上就AI、硬件与EUV问题公开表态。华为官方海外X账号于10月7日发布了该次会议摘要。

EUV：正在研发，现阶段仍用DUV

余承东确认：极紫外光刻（EUV）设备是制造先进芯片的关键。中国目前正在研发这些设备，但现阶段国内仍然依靠深紫外光刻（DUV）。

EUV光刻机由荷兰ASML主导，每台售价超过2亿美元，是当前7nm以下先进制程的必要设备。美国出口管制限制了相关设备向中国出口，迫使国内芯片制造转向DUV多重曝光等技术路线。余承东未透露国内EUV研发的具体进度或时间表，仅确认研发工作正在进行。

韬定律：绕开几何缩微的技术路线

华为在Mate 90系列发布会（10月1日）上正式发布了基于"韬定律"的新一代芯片。韬定律以"时间(τ)缩微"替代"几何缩微"作为半导体演进的指导原则——通过降低信号传播时延来提升性能，而非单纯缩小晶体管尺寸。

Mate 90系列搭载的芯片分两类：

• 旗舰τ芯片：麒麟9030（Mate 90）、麒麟9035（Mate 90 Pro），使用传统先进制程
• 逻辑折叠τ芯片：麒麟9050（Mate 90 Pro Max）、麒麟9050 Pro（Mate 90 Pro Max/RS非凡大师），使用逻辑折叠技术

"逻辑折叠"是韬定律的核心创新之一：通过突破传统平面布局的物理边界，缩短关键路径走线长度、降低信号传播的电阻和电容负载，从而在同等制程下实现更高的晶体管密度和电路性能。

余承东解释，手机主处理器需要先进制程，但手机中的许多其他部件对制程要求没有那么高。华为采用系统工程方法，整体优化性能，弥补无法获得更先进制程的不足。

2031年目标：1.4nm当量

华为官方给出了一个具体数字：预计到2031年，基于韬定律的高端芯片晶体管密度将达到1.4纳米制程的当量水平。

目前台积电量产的最先进制程为N2（2nm），而TSMC的1.4nm制程（A14）预计在2027至2028年量产。华为设定的2031年目标，意味着通过韬定律技术路线，在不依赖EUV的条件下追赶主流制程密度。这条路线能否兑现，取决于逻辑折叠等技术在实际量产中的稳定性，以及国内半导体制造能力的整体进展。