AI内存短缺致DDR2价格飙升

全球内存危机的冲击波已蔓延至仍在生产的最古老DRAM标准。据台湾市场情报机构TrendForce本周发布的报告，2026年第二季度，DDR2合约价上涨55%至60%，第三季度预计再涨35%至40%。这一涨势标志着AI驱动的内存短缺进入新阶段：硬件厂商被迫将设计降级到更老的内存代际，以确保供应。

成熟制程承压

TrendForce指出，价格飙升的直接原因是成熟节点DRAM供应结构性收紧。三星、SK海力士和美光将晶圆产能转向AI数据中心所需的高带宽内存——该领域利润率高达70%以上——导致标准和旧款DRAM供应骤降。据The Next Web报道，部分制造商已开始用DDR3替代DDR4设计，而另一些则将DDR3组件替换为最初于2003年推出的DDR2。

短缺已波及消费电子领域。IDC今年早些时候预计，到2026年底，智能手机、PC和平板电脑价格可能上涨10%至20%。6月初，代表汽车制造商、零售商和医疗设备制造商的美国行业联盟致信财政和商务部，警告称“内存芯片市场的严重失衡可能导致美国家庭面临显著且持续的近期价格上涨”，据路透社报道。苹果CEO蒂姆·库克6月17日对《华尔街日报》表示，鉴于内存和存储成本上升，公司产品涨价“不可避免”。

短期无解

三星在4月财报电话会议上警告，供需缺口预计将持续扩大至2027年。三星内存部门负责人金载俊向Nikkei Asia表示：“2027年供应缺口预计比2026年更加严重。”该公司称，其需求满足率已降至历史低点，部分客户已开始下订单订购2027年产品。

笔记本电脑市场同样受到冲击。TrendForce报告称，戴尔和联想等制造商面临下调中端笔记本RAM的压力，此前标配16GB内存的机型可能降为8GB。KB证券估算，DRAM整体满足率目前约60%，服务器领域甚至低于50%。

更深层的结构变化

根源在于产能向HBM转移。据美光高管透露，每GB HBM消耗的晶圆产能大约是标准DRAM的三倍。三星位于平泽的新P4工厂被视为关键新增产能来源，但预计要到2027年才能投产。一位DRAM供应商3月曾表示，短缺可能持续五年。

IDC移动设备研究主管弗朗西斯科·杰罗尼莫在2月报告中指出：“我们观察到的不仅是暂时压力，而是一场内存供应链的海啸式冲击，其后果将影响整个消费电子领域。”