三星2027年HBM售罄，存储短缺或持续至2028年

全球两大存储芯片制造商近期表示，由 AI 浪潮引发的存储芯片短缺远未结束。SK 海力士透露，其存储芯片产能在 2029 年前已基本售罄；三星电子也表示，2027 年的高带宽内存（HBM）供应已被预订一空。

两家公司均指出，新建晶圆厂的投产速度难以跟上数据中心的需求增长。SK 海力士预计这一轮供不应求将延续至 2030 年，三星的预期则相对保守，认为紧缩状态至少持续到 2028 年。

三星开始量产下一代AI存储芯片

在财报电话会议上，SK 海力士表示，根据已签署的长期协议以及正在与客户深入磋商的订单量，公司到 2029 年的 DRAM 和 HBM 产能实际上已销售一空。

目前，SK 海力士已与包括主流云服务商在内的 14 家核心客户敲定供应合同，锁定了 2027 年与 2028 年超过一半的生产配额。客户对 HBM 的采购需求已超过可用供给的两倍以上。

SK 海力士首席财务官 Woo-hyun Kim 解释称，先进制程的制造极为复杂，新建制造设施的投产周期也十分漫长，供不应求的局面将在较长时期内存在，产能瓶颈预计将持续至 2030 年。

三星电子同样在业绩说明会上证实，2027 年 HBM 产能的谈判已按反映产品竞争力的价格完成，全部配额已售罄，且核心客户仍在追加需求。

三星目前已与 10 家大客户达成长期供货协议，并正与另外 10 家客户进行谈判。三星的目标是到 2030 年前，通过此类长期合同锁定 60% 至 70% 的产能。值得注意的是，签署长约的需求正从超大规模云厂商扩展到移动端与汽车领域。

三星表示，随着 AI 基础设施竞赛升级以及个人 AI 智能体的普及，存储市场的强劲需求将贯穿 2027 年，供应偏紧的状态预计将维持到 2028 年。

三星半导体部门今年资本支出大幅增长 62% 至 76.8 万亿韩元，并计划明年继续扩大资本开支。即便如此，从动工建厂到晶圆产出周期漫长，高额投资很难在 2028 年之前转化成规模化有效产能。

此外，HBM 单颗芯片面积较大，占用了更多晶圆制造面积，限制了整体芯片产出数量。产能向 HBM 的快速倾斜，正在直接挤压传统 DRAM 的供给，这可能导致 PC、智能手机和通用服务器的内存价格持续居高不下。