台积电或涉足存储芯片制造，应英伟达要求规划3D DRAM

据 The Information 报道，全球最大芯片代工巨头台积电（TSMC）正考虑进军先进存储芯片生产领域。长期以来，台积电几乎完全专注于逻辑芯片代工，此举将标志着重大战略转型，帮助其在蓬勃发展的 AI 硬件市场中分得更大份额。

路透社援引知情人士消息称，台积电已应其最大客户英伟达（Nvidia）的要求，开始规划生产一种被称为 3D DRAM 的先进存储芯片。目前，台积电与英伟达均未立即回应置评请求。

产能规划与团队组建

据 Investing.com 报道，台积电正在评估是新建专用晶圆厂，还是收购现有厂房进行改造升级。此前，美光科技（Micron）在今年 3 月曾采取类似路径，斥资 18 亿美元收购力积电在台湾的一处厂房并改装为高端存储产线。

据《经济时报》报道，该项目目前由台积电副总经理徐国晋牵头。他现负责台积电先进封装业务，此前曾担任美光科技高管。

受该消息提振，台积电美股 ADR 在周五早盘出现明显上涨。

供应短缺促成战略转向

AI 算力需求的爆发导致高端存储供不应求，硬件成本随之大幅推高。英伟达与苹果等科技巨头一直在积极寻找替代供应来源。传统 DRAM 采用单层水平结构排列存储单元，而 3D DRAM 则通过垂直堆叠单元以大幅提升存储密度与性能。

行业竞争与潜在风险

若涉足存储制造，台积电将与三星电子、SK 海力士以及美光正面交锋，这三家公司长期垄断着全球 DRAM 市场。尽管台积电拥有部分垂直 DRAM 相关专利，但从研发走向规模化量产可能仍需数年时间。此外，存储芯片行业周期性波动明显，容易出现频繁的供需失衡与价格震荡。

该计划还可能使台积电与 SK 海力士的合作关系复杂化。2024 年 4 月，双方宣布在 HBM4 领域展开合作，由 SK 海力士采用台积电的基础逻辑制程制造基础晶圆（Base Die）。一旦台积电自研量产 3D DRAM，其与现有客户之间的竞争关系势必变得更加微妙。