长鑫科技半年净赚776亿，再投349亿押注DRAM

长鑫科技（688825.SH）连发两份重大投资公告：一项是总投资241亿元的技术研发项目，另一项是投资108亿元的存储器晶圆后道测试基地二期，单日合计宣布投资349亿元。其中180亿元直接来自IPO超募资金，其余通过增资及借款补足。

刚在上半年交出亮眼财报的长鑫，迅速将丰厚利润与募集资金重新砸向产线与研发。

上半年净利776亿，毛利率近85%

根据财报，长鑫科技上半年实现营业收入1503.1亿元，同比增长873.64%；归母净利润达776.05亿元，实现扭亏为盈。主营业务毛利率达到84.84%，经营性现金流净额为1311.56亿元。

AI算力需求带动全球DRAM供不应求。三星、SK海力士和美光等巨头将更多产能向HBM和服务器级DDR5倾斜，通用存储领域出现结构性空缺，长鑫精准填补了这一市场需求。从单季表现看，长鑫一季度归母净利润为247.62亿元，二季度增至528.43亿元，环比增长113%，显示涨价红利仍在持续释放。

据CFM闪存市场数据，二季度全球DRAM市场规模达1470.24亿美元，环比增长55.9%，创下历史新高。长鑫存储全球市场份额已逼近10%，稳居全球第四，季度销售收入环比增幅位居行业首位。

349亿投向：研发与封测齐补短板

这笔349亿元的投资主要拆分为两大板块：

• 制程研发（241亿元）：建设周期30个月，重点推进DRAM制程工艺迭代。不久前，长鑫第五代DRAM工艺技术平台正式量产，采用四重曝光技术将内存阵列有源区半间距微缩至11.95纳米，进入全球第一梯队。
• 测试基地二期（108亿元）：建设周期37个月，主要承担DRAM晶圆测试和模组组装。随着产能快速释放，外部封测产能和配套资源已显不足，自建基地将直接补齐IDM（垂直整合制造）模式的后道测试环节。

产业链供需两旺，逆周期扩产布局未来

产业链下游的需求同样印证了这一景气度。兆易创新日前公告，将与长鑫集团的年度日常关联交易预计额度上调至78.54亿元，主要原因为DRAM代工价格随行就市上涨；同时预计次年首4个月交易额将达44.11亿元，呈现出Fabless设计厂商加价争取晶圆产能的卖方市场特征。

尽管海外存储板块因宏观流动性预期而出现估值回调，非长协订单涨幅也有所收窄，但DRAM产业历来具有强周期属性。历史经验表明，行业格局的更替往往取决于企业在下行或震荡周期中的扩产决心。

长鑫测试基地二期预计于2029年左右建成投产，届时正好承接新一轮市场供需再平衡。通过自研工艺、补齐封测短板，并在LPDDR5X及LPDDR6等高端产品线上完成卡位，长鑫正加速确立其在全球存储芯片市场中的差异化竞争优势。