立式DRAM颠覆HBM：下一代AI存储ZAM能走多远？

ZAM与AI半导体趋势

AI军备竞赛从不局限在GPU本身。当算力密度狂飙，存储墙、供电瓶颈与极端边缘推理构成了真实的物理现实。

近期半导体产业的三项动向，清晰展示了底层硬件的演进逻辑：立放DRAM的下一代存储走向工程落地、12英寸晶圆扩产并不盲目追逐先进制程，以及类脑AI芯片被塞进极端环境的轮胎内部。

1. SAIMEMORY联手新光电气：把DRAM“立起来”的ZAM冲刺量产

9月28日，软银旗下下一代存储公司 SAIMEMORY 与封装基板大厂新光电气工业（Shinko）签署基础合作协议，共同推进全新存储架构 ZAM（Z-Angle Memory） 的技术研发与商业化量产。

双方不仅停留在联合研究阶段，而是直接瞄准制造工艺确立与最终落地。SAIMEMORY 承接了英特尔早期的堆叠技术积累，计划在2027财年推出原型产品，并在2029财年推向实用。

当前大行其道的 HBM（高带宽内存）采用水平平铺方式，将多层 DRAM 裸片层层向上堆叠，通过硅通孔（TSV）进行垂直电气连接。

这种结构的最大痛点是散热。堆叠层数越多，容量和带宽确实越大，但夹在中间层的热量极难导出。在大模型高吞吐负载下，紧挨着 GPU 核心的高带宽存储本身发热已不可忽视。业内普遍认为，受限于散热和布线，传统 HBM 堆叠上限大约在20层左右。

ZAM 则完全颠覆了这一空间逻辑：它把由多层 DRAM 构成的立方体裸片翻转90度垂直立放，再在基板上水平排开。立式结构从理论上消除了高度堆叠的散热死角，解除了层数限制。

另一大创新在 I/O 互联：ZAM 采用磁耦合无接触式无线 I/O，试图在高密度、大容量、大带宽与超低功耗之间取得平衡。

但架构设计与量产制造完全是两回事。新光电气在 FC-BGA 倒装芯片封装基板和高密度微组装领域积累极深。这次合作，正是由 SAIMEMORY 负责存储架构，新光电气解决“如何把它真正做成封装成品”的工程难题。

日本半导体产业观察者 Tai 提出了关键的审视角度：ZAM 绝非简单的“立起来就凉快”。从概念图到实际硅片，至少面临四个未解挑战：

对准与互联抗干扰：立式晶圆块无法像传统内存条那样插进插槽。即便是磁耦合无接触连接，如何保证在组装公差、热膨胀形变下精准通信？相邻立方体与高频信号之间的电磁干扰如何屏蔽？
散热路径的真实测量：垂直放置虽然表面看似开放，但存储块排布越密集，留给风道或液冷导热介质的物理空间就越小；如果拉大间距，又会浪费宝贵的中介层面积。这需要真实点亮时的温度曲线，而非概念渲染图。
量产工艺与良率：立式贴装的吸附、翻转、对准精度要求极高，任一微米级偏差都会导致整颗封装报废。
产业落地与IP归属：虽然日本新能源产业技术综合开发机构（NEDO）和日本产业革新投资机构（JIC）深度参与资金与产业协同，但在实际制造链条中，台湾力积电（PSMC）、爱普科技（AP Memory）等也在晶圆堆叠合作名单中。核心制造工艺和 IP 究竟如何分配沉淀，仍有待观察。

2027财年的原型样品，将是验证这套立式存储能否真正挑战 HBM 的第一道分水岭。