三星造出全球首款900层闪存芯片

三星电子成功开发出全球首款900层V-NAND闪存芯片原型，这一里程碑将半导体行业推向1000层时代，帮助这家韩国巨头重夺NAND闪存存储领域的领先地位。

据ETNews报道，三星使用名为Cell Multi-Bonding（CMB）的技术打造了这款900层级原型，该技术将两块450层晶圆融合成单个芯片。这项工艺使三星能够大幅提升存储密度并降低功耗——这些特性在AI计算中日益受到重视。

三星是2013年全球首家实现3D V-NAND闪存芯片商业化的公司，采用一次性钻孔堆叠微小孔洞的工艺。随着堆叠层数增加，公司遇到了晶圆翘曲和层间错位等挑战，并通过先进的上卡盘设计和覆盖校正技术解决了这些问题。此外，三星还改进了位线和字线结构，以降低功耗和芯片尺寸。

这一突破正值三星面临来自两方面的激烈竞争。SK海力士目前在高层数NAND领域领先，其321层芯片已实现量产。与此同时，中国长江存储（YMTC）已开始量产294层NAND芯片，并得到政府投资和日益本地化的制造支持。

三星在准备量产400层第十代NAND闪存芯片的同时，在研究阶段已达到900层里程碑。公司高管此前曾设定到2030年超过1000层的目标。

向更高层数的冲刺反映出人工智能工作负载对存储需求的激增。高密度NAND对于AI系统所需的大规模数据存储和检索至关重要，使得层数竞赛成为AI基础设施市场竞争力的风向标。三星的原型虽尚未商用，但表明该公司有意引领下一代闪存技术，而非将阵地拱手让人。