英特尔联手软银推出Z-Angle内存原型，剑指HBM市场

英特尔与软银子公司SAIMEMORY于2月3日在2026年英特尔日本连接大会上发布了Z-Angle Memory原型机，这是一种旨在挑战AI应用中高带宽内存的下一代DRAM技术。两家公司于2月2日签署了合作协议，推进ZAM的商业化进程，该技术承诺在功耗效率和容量方面实现比现有内存解决方案大幅提升。

这项新内存技术采用沿Z轴的垂直堆叠芯片设计，据SAIMEMORY称，与现有内存解决方案相比，功耗可降低40%至50%，同时单芯片容量可达512GB。该架构还能让每个芯片产生的热量均匀向上传导，解决了一直制约平面堆叠设计的热管理挑战。

英特尔院士Joshua Fryman博士在声明中表示：“标准内存架构已无法满足AI需求。”英特尔新开发的架构和封装方法旨在提升DRAM性能，同时降低功耗和成本。

ZAM采用了英特尔下一代DRAM键合计划的基础技术，该计划由美国能源部通过桑迪亚国家实验室、劳伦斯利弗莫尔国家实验室和洛斯阿拉莫斯国家实验室管理的先进内存技术项目开发。据Tom's Hardware报道，ZAM旨在提供2到3倍于HBM的容量，同时生产成本降低高达60%。

SAIMEMORY计划在2027财年（截至2028年3月31日）完成原型机，并将商业化目标定在2029财年。该公司于2024年12月作为软银子公司成立，已组建了一个合作伙伴联盟，包括富士通、新光电气工业、力晶半导体制造公司和东京大学。

这项合作进入的内存市场目前由SK海力士、三星电子和美光科技主导，这些企业正在围绕面向AI应用的HBM4生产展开激烈竞争。根据Counterpoint Research的数据，截至2025年年中，SK海力士以62%的HBM出货量占据主导地位。

这项合作标志着英特尔自1980年代以来首次重返内存业务。英特尔此前曾尝试通过Optane技术颠覆内存市场，但该产品未能获得足够的市场认可，最终在2022年以5.59亿美元的库存减记收场。ZAM技术能否在Optane折戟之处取得成功仍是未知数，因为该技术在达到商业化成熟度之前还面临着多年的开发之路。