美光CEO：新内存供应2028年前难大幅提升

美光（Micron）CEO Sanjay Mehrotra 表示，全球内存芯片短缺是结构性的，短期内不会缓解。他在周四接受彭博社采访时称，AI 驱动需求持续远超产量，有意义的新增供应要到2028年左右才能开始爬坡。

Mehrotra 在美光位于弗吉尼亚州马纳萨斯的工厂——该厂正将DDR4产量翻两番——概述了一项多年扩张计划，涵盖爱达荷州、弗吉尼亚州和纽约州的多个厂址，总投资额达2000亿美元。不过他承认，供应紧张仍将持续数年。

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前所未有的供应缺口

Mehrotra 自2025年底以来一直警告，行业总供应“在可预见的未来将大幅低于需求”。他在美光2025年12月财报电话会议上首次抛出这一观点，当时公司创下了136.4亿美元的单季营收纪录。在2026年3月接受 CNBC 采访时，他重申“内存供应目前非常紧张，且不易增加”。

短缺的根源在于内存行业大规模转向用于 AI 加速器的高带宽内存（HBM），其晶圆消耗量约为标准 DDR5 的三倍。这种重新分配导致传统 DRAM 产能枯竭，引发消费电子、汽车和网络领域的连锁危机。

南亚科技及其他厂商佐证

台湾南亚科技（Nanya Technology）也印证了这一时间表。公司管理层在4月告诉分析师，“今年无法100%满足市场需求”，并预计短缺将延续至2027年。南亚科技2026年第一季度平均售价环比飙升超过70%，尽管出货量下滑——这是供应受限的典型特征。

SK海力士（SK Hynix）董事长崔泰源（Chey Tae-won）更进一步，认为全球内存芯片短缺可能持续到本十年末。

对消费终端的连锁影响

短缺已在重塑消费电子市场。小米CEO雷军3月警告，AI驱动的内存短缺将导致智能手机涨价，这一成本冲击可能持续至2027年底。小米已在4月上调了多款智能手机型号的价格，理由是“内存芯片等关键组件价格持续大幅上涨”。

IDC 预测，2026年全球智能手机出货量将收缩12.9%——创市场有史以来最大年度跌幅——主要是由内存成本飙升驱动，预计2027年仅会小幅回升。