美光在弗吉尼亚启动先进内存生产

美光科技（Micron Technology）本周四宣布，已在弗吉尼亚州马纳萨斯工厂启动1α（1-alpha）DRAM生产。该公司称，这是美国本土制造的最先进内存技术。

20亿美元押注本土芯片制造

1α节点将使美光在马纳萨斯工厂的DDR4晶圆供应量翻四倍，预计2026年底前通过认证并量产。这项超20亿美元的投资部分来自美国商务部根据《芯片与科学法案》提供的2.75亿美元直接资助。项目预计创造400多个制造岗位，高峰期可带动2700个社区就业。

此前，1α DRAM技术仅限亚洲生产，弗吉尼亚工厂的投产成为先进半导体产能回流美国的重要里程碑。该工厂将服务于汽车、航空航天、国防和工业领域的客户。

AI需求推动内存市场繁荣

弗吉尼亚的扩产是美光应对人工智能驱动需求激增的一部分。该公司2026年全部高带宽内存（HBM）产能已被多年合同锁定。美光还宣布计划在美国半导体制造与研发领域投资约2000亿美元，预计创造约9万个直接和间接就业岗位。

内存芯片行业正在经历结构性转变——用于生成式AI基础设施的HBM，已将过去波动性强的商品业务转变为关键的供应瓶颈。

美国制造版图扩张

美光在弗吉尼亚的突破是其国内扩张计划的一部分，其他举措还包括在爱达荷州建设第二座先进内存工厂，以及将先进封装能力引入美国。公司还宣布计划投资500亿美元用于国内研发。

此次投产正值美国政府通过《芯片与科学法案》持续推动减少对亚洲半导体制造的依赖。美光是获得联邦激励以推动芯片回流的最大企业之一。